Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGYA120M65DF2

Фото уточняется
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650V
Collector current
120A
Power dissipation
625W
Корпус
MAX247
Gate-emitter voltage
±20V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTGYA120M65DF2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650V
Collector current120A
Power dissipation625W
КорпусMAX247
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current360A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge420nC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 120A; 625W; MAX247

Документация

Документ производителя