Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGWT60H65FB

Фото уточняется
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
60 A
Power dissipation
375 W
Корпус
TO3P
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTGWT60H65FB
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current60 A
Power dissipation375 W
КорпусTO3P
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current240 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge306nC
Kind of packagetube
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P

Документация

Документы пока не предоставлены.