Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGWT60H65DFB

STGWT60H65DFB
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
60 A
Power dissipation
375 W
Корпус
TO3P
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 24 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%903,15 ₽

Сумма · с НДС 22%903,15 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1903,15 ₽
от 3813,41 ₽
от 5758,04 ₽
от 10725,58 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTGWT60H65DFB
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current60 A
Power dissipation375 W
КорпусTO3P
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current240 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge306nC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P

Документация

Документ производителя