Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGWT40H65DFB

STGWT40H65DFB
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650V
Collector current
40A
Power dissipation
283W
Корпус
TO3P
Gate-emitter voltage
±20V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTGWT40H65DFB
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650V
Collector current40A
Power dissipation283W
КорпусTO3P
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current160A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.21µC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P

Документация

Документы пока не предоставлены.