Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGWT30H60DFB

Фото уточняется
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
30 A
Power dissipation
260 W
Корпус
TO3P
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTGWT30H60DFB
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current30 A
Power dissipation260 W
КорпусTO3P
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current120 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge149nC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO3P

Документация

Документы пока не предоставлены.