Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGWA80H65DFBAG

Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
80 A
Power dissipation
535 W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTGWA80H65DFBAG
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current80 A
Power dissipation535 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current240 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge453nC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 80A; 535W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.