Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGWA80H65DFB

Фото уточняется
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
80 A
Power dissipation
470 W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTGWA80H65DFB
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current80 A
Power dissipation470 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current300 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge414nC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.