Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGWA60H65DFB

Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
60 A
Рассеиваемая мощность
375 W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTGWA60H65DFB
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current60 A
Рассеиваемая мощность375 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current240 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge306nC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3

Документация

Документ производителя