Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGWA30H65DFB2

Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
30 A
Power dissipation
167 W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTGWA30H65DFB2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current30 A
Power dissipation167 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current90 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge90nC
Kind of packagetube
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.