Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGW80H65DFB

STGW80H65DFB
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650V
Collector current
80A
Power dissipation
470W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±20V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTGW80H65DFB
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650V
Collector current80A
Power dissipation470W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current300A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge414nC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3

Документация

Документ производителя