Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGW60H65DFB

STGW60H65DFB
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
60 A
Power dissipation
375 W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 313 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 055,08 ₽

Сумма · с НДС 22%1 055,08 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 055,08 ₽
от 3962,92 ₽
от 5870,77 ₽
от 10699,62 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTGW60H65DFB
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current60 A
Power dissipation375 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current240 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge306nC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3

Документация

Документ производителя