Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGW50H65DFB2-4

Фото уточняется
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
53 A
Power dissipation
272 W
Корпус
TO247-4
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTGW50H65DFB2-4
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current53 A
Power dissipation272 W
КорпусTO247-4
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current150 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge151nC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-4

Документация

Документы пока не предоставлены.