Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGW40V60DF

STGW40V60DF
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
80 A
Power dissipation
283 W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTGW40V60DF
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current80 A
Power dissipation283 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current160 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge226nC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3

Документация

Документ производителя