Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGW40H65DFB-4

Фото уточняется
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
40 A
Power dissipation
283 W
Корпус
TO247-4
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTGW40H65DFB-4
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current40 A
Power dissipation283 W
КорпусTO247-4
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current160 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.21µC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode, Kelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-4

Документация

Документы пока не предоставлены.