STMICROELECTRONICS
Транзистор STGW30V60DF
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 600 V
- Collector current
- 30 A
- Power dissipation
- 258 W
- Корпус
- TO247-3
- Gate-emitter voltage
- ±20 V
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 335 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%726,45 ₽
Сумма · с НДС 22%726,45 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 726,45 ₽ | |
| от 5 | 667,34 ₽ | |
| от 10 | 604,42 ₽ | |
| от 20 | 514,81 ₽ | |
| от 30 | 503,37 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STGW30V60DF |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 600 V |
| Collector current | 30 A |
| Power dissipation | 258 W |
| Корпус | TO247-3 |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 120 A |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 163nC |
| Kind of package | tube |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.