Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGW30V60DF

STGW30V60DF
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
30 A
Power dissipation
258 W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±20 V

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 335 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%726,45 ₽

Сумма · с НДС 22%726,45 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1726,45 ₽
от 5667,34 ₽
от 10604,42 ₽
от 20514,81 ₽
от 30503,37 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTGW30V60DF
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current30 A
Power dissipation258 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current120 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge163nC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3

Документация

Документ производителя