STMICROELECTRONICS
Транзистор STGW30NC60KD
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 600 V
- Collector current
- 28 A
- Power dissipation
- 200 W
- Корпус
- TO247-3
- Gate-emitter voltage
- ±20 V
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 310 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 340,41 ₽
Сумма · с НДС 22%1 340,41 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 1 340,41 ₽ | |
| от 5 | 1 180,02 ₽ | |
| от 10 | 1 090,28 ₽ | |
| от 30 | 939,43 ₽ | |
| от 120 | 771,40 ₽ | |
| от 150 | 744,67 ₽ | |
| от 300 | 656,84 ₽ | |
| от 510 | 590,01 ₽ | |
| от 1020 | 498,36 ₽ | |
| от 2400 | 381,88 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STGW30NC60KD |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 600 V |
| Collector current | 28 A |
| Power dissipation | 200 W |
| Корпус | TO247-3 |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 125 A |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 96nC |
| Kind of package | tube |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 600V; 28A; 200W; TO247-3
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.