Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGP8M120DF3

STGP8M120DF3
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
1.2kV
Collector current
8A
Power dissipation
167W
Корпус
TO220AB
Gate-emitter voltage
±20V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTGP8M120DF3
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage1.2kV
Collector current8A
Power dissipation167W
КорпусTO220AB
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current32A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge32nC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.2kV; 8A; 167W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.