Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGP6M65DF2

STGP6M65DF2
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
6 A
Power dissipation
88 W
Корпус
TO220AB
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTGP6M65DF2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current6 A
Power dissipation88 W
КорпусTO220AB
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current24 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge21.2nC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 6A; 88W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.