Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGP30H60DF

STGP30H60DF
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
30 A
Power dissipation
260 W
Корпус
TO220AB
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTGP30H60DF
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current30 A
Power dissipation260 W
КорпусTO220AB
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current120 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge105nC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.