Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGP10NB60S

STGP10NB60S
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
16 A
Power dissipation
80 W
Корпус
TO220AB
Gate-emitter voltage
±20 V

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяSTGP10NB60S
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current16 A
Power dissipation80 W
КорпусTO220AB
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current80 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge33nC
Kind of packagetube
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 16A; 80W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.