Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGP10M65DF2

STGP10M65DF2
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650V
Collector current
10A
Power dissipation
115W
Корпус
TO220AB
Gate-emitter voltage
±20V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTGP10M65DF2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650V
Collector current10A
Power dissipation115W
КорпусTO220AB
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current40A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge28nC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO220AB

Документация

Документ производителя