Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGH30H65DFB-2AG

Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
30 A
Power dissipation
260 W
Корпус
H2PAK
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTGH30H65DFB-2AG
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current30 A
Power dissipation260 W
КорпусH2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current90 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge155nC
Kind of packagereel, tape
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; H2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.