STMICROELECTRONICS
Транзистор STGF20M65DF2
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 650 V
- Collector current
- 20 A
- Рассеиваемая мощность
- 32.6 W
- Корпус
- TO220FP
- Gate-emitter voltage
- ±20 V
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 473 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%472,34 ₽
Сумма · с НДС 22%472,34 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 472,34 ₽ | |
| от 3 | 412,36 ₽ | |
| от 10 | 329,89 ₽ | |
| от 50 | 236,17 ₽ | |
| от 100 | 213,68 ₽ | |
| от 500 | 202,43 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STGF20M65DF2 |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 650 V |
| Collector current | 20 A |
| Рассеиваемая мощность | 32.6 W |
| Корпус | TO220FP |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 80 A |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 63nC |
| Kind of package | tube |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 650V; 20A; 32.6W; TO220FP
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.