STMICROELECTRONICS
Транзистор STGF10M65DF2
Фото недоступно- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 650V
- Collector current
- 10A
- Power dissipation
- 30W
- Корпус
- TO220FP
- Gate-emitter voltage
- ±20V
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | STGF10M65DF2 |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 650V |
| Collector current | 10A |
| Power dissipation | 30W |
| Корпус | TO220FP |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Pulsed collector current | 40A |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 28nC |
| Kind of package | tube |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 650V; 10A; 30W; TO220FP
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.