STMICROELECTRONICS
Транзистор STGF10H60DF
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 600 V
- Collector current
- 10 A
- Power dissipation
- 30 W
- Корпус
- TO220FP
- Gate-emitter voltage
- ±20 V
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 126 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%416,25 ₽
Сумма · с НДС 22%416,25 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 416,25 ₽ | |
| от 3 | 376,16 ₽ | |
| от 10 | 299,78 ₽ | |
| от 30 | 227,22 ₽ | |
| от 50 | 219,58 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STGF10H60DF |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 600 V |
| Collector current | 10 A |
| Power dissipation | 30 W |
| Корпус | TO220FP |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 40 A |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 57nC |
| Kind of package | tube |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 600V; 10A; 30W; TO220FP
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.