STMICROELECTRONICS
Транзистор STGE200NB60S
- Type of semiconductor module
- IGBT
- Semiconductor structure
- single transistor
- Max. off-state voltage
- 0.6 kV
- Collector current
- 150 A
- Корпус
- ISOTOP
- Electrical mounting
- screw
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 21 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%5 084,93 ₽
Сумма · с НДС 22%5 084,93 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 5 084,93 ₽ | |
| от 5 | 4 606,26 ₽ | |
| от 10 | 4 332,74 ₽ | |
| от 20 | 4 057,31 ₽ | |
| от 50 | 3 829,37 ₽ | |
| от 100 | 3 723,00 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STGE200NB60S |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of semiconductor module | IGBT |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Max. off-state voltage | 0.6 kV |
| Collector current | 150 A |
| Корпус | ISOTOP |
| Electrical mounting | screw |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 400 A |
| Power dissipation | 600 W |
| Mechanical mounting | screw |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 150A; ISOTOP; 600W
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.