Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGD8NC60KDT4

STGD8NC60KDT4
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
8 A
Power dissipation
62 W
Корпус
DPAK
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTGD8NC60KDT4
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current8 A
Power dissipation62 W
КорпусDPAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current30 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge19nC
Kind of packagereel, tape
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 8A; 62W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.