Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGD6NC60HDT4

STGD6NC60HDT4
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
15 A
Power dissipation
56 W
Корпус
DPAK
Gate-emitter voltage
±20 V

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяSTGD6NC60HDT4
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current15 A
Power dissipation56 W
КорпусDPAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current21 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13.6nC
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK

Документация

Документ производителя