STMICROELECTRONICS
Транзистор STGD6NC60HDT4
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 600 V
- Collector current
- 15 A
- Power dissipation
- 56 W
- Корпус
- DPAK
- Gate-emitter voltage
- ±20 V
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | STGD6NC60HDT4 |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 600 V |
| Collector current | 15 A |
| Power dissipation | 56 W |
| Корпус | DPAK |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 21 A |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 13.6nC |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.