STMICROELECTRONICS
Транзистор STGD5NB120SZT4
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 1.2 kV
- Collector current
- 5 A
- Рассеиваемая мощность
- 75 W
- Корпус
- DPAK
- Gate-emitter voltage
- ±20 V
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | STGD5NB120SZT4 |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 1.2 kV |
| Collector current | 5 A |
| Рассеиваемая мощность | 75 W |
| Корпус | DPAK |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 10 A |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Features of semiconductor devices | internally clamped |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 75W; DPAK
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.