Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGD4M65DF2

STGD4M65DF2
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650V
Collector current
4A
Power dissipation
68W
Корпус
DPAK
Gate-emitter voltage
±20V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTGD4M65DF2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650V
Collector current4A
Power dissipation68W
КорпусDPAK
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current16A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15.2nC
Kind of packagereel, tape
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 4A; 68W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.