Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGD4H60DF

STGD4H60DF
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
600V
Collector current
4A
Power dissipation
75W
Корпус
DPAK
Gate-emitter voltage
±20V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTGD4H60DF
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage600V
Collector current4A
Power dissipation75W
КорпусDPAK
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current16A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge35nC
Kind of packagereel, tape
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.