Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGD3NB60SDT4

STGD3NB60SDT4
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
3 A
Power dissipation
48 W
Корпус
DPAK
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTGD3NB60SDT4
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current3 A
Power dissipation48 W
КорпусDPAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current25 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18nC
Kind of packagereel, tape
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 3A; 48W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.