Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGD18N40LZT4

STGD18N40LZT4
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
420 V
Collector current
25 A
Рассеиваемая мощность
150 W
Корпус
DPAK
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTGD18N40LZT4
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage420 V
Collector current25 A
Рассеиваемая мощность150 W
КорпусDPAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current40 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge29nC
Kind of packagereel, tape
Features of semiconductor devicesinternally clamped, logic level
Applicationautomotive industry, ignition systems
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 420V; 25A; 150W; DPAK; ESD

Документация

Документ производителя