STMICROELECTRONICS
Транзистор STGD10NC60KDT4
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 600 V
- Collector current
- 10 A
- Рассеиваемая мощность
- 62 W
- Корпус
- DPAK
- Gate-emitter voltage
- ±20 V
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 727 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%371,13 ₽
Сумма · с НДС 22%371,13 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 371,13 ₽ | |
| от 10 | 239,92 ₽ | |
| от 25 | 206,18 ₽ | |
| от 100 | 196,81 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STGD10NC60KDT4 |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 600 V |
| Collector current | 10 A |
| Рассеиваемая мощность | 62 W |
| Корпус | DPAK |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 30 A |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 19nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.