Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGB6NC60HDT4

STGB6NC60HDT4
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
7 A
Рассеиваемая мощность
62.5 W
Корпус
D2PAK
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTGB6NC60HDT4
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current7 A
Рассеиваемая мощность62.5 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current21 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13.6nC
Kind of packagereel, tape
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 7A; 62.5W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.