Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGB5H60DF

STGB5H60DF
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
5 A
Power dissipation
88 W
Корпус
D2PAK
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTGB5H60DF
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current5 A
Power dissipation88 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current20 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge38nC
Kind of packagereel, tape
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 5A; 88W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.