Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGB40H65FB

STGB40H65FB
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
40 A
Power dissipation
283 W
Корпус
D2PAK
Gate-emitter voltage
±20 V

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяSTGB40H65FB
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current40 A
Power dissipation283 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current160 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.21µC
Kind of packagereel, tape
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.