Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGB30M65DF2

STGB30M65DF2
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
30 A
Рассеиваемая мощность
258 W
Корпус
D2PAK
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTGB30M65DF2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current30 A
Рассеиваемая мощность258 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current120 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge80nC
Kind of packagereel, tape
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.