Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGB30H60DFB

STGB30H60DFB
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
600V
Collector current
30A
Power dissipation
260W
Корпус
D2PAK
Gate-emitter voltage
±20V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTGB30H60DFB
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage600V
Collector current30A
Power dissipation260W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current120A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge149nC
Kind of packagereel, tape
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.