Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGB20M65DF2

STGB20M65DF2
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650V
Collector current
20A
Power dissipation
166W
Корпус
D2PAK
Gate-emitter voltage
±20V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTGB20M65DF2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650V
Collector current20A
Power dissipation166W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current80A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge63nC
Kind of packagereel, tape
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 20A; 166W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.