Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGB20H60DF

STGB20H60DF
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
20 A
Рассеиваемая мощность
167 W
Корпус
D2PAK
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTGB20H60DF
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current20 A
Рассеиваемая мощность167 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current80 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge115nC
Kind of packagereel, tape
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.