Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGB19NC60HDT4

STGB19NC60HDT4
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
19 A
Рассеиваемая мощность
130 W
Корпус
D2PAK
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 847 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%453,11 ₽

Сумма · с НДС 22%453,11 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1453,11 ₽
от 10330,04 ₽
от 25292,75 ₽
от 50275,97 ₽
от 100266,64 ₽
от 250255,45 ₽
от 500246,13 ₽
от 1000236,81 ₽
от 2000227,49 ₽
от 3000223,76 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTGB19NC60HDT4
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current19 A
Рассеиваемая мощность130 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current60 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge53nC
Kind of packagereel, tape
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.