Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGB14NC60KDT4

STGB14NC60KDT4
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
14 A
Power dissipation
80 W
Корпус
D2PAK
Gate-emitter voltage
±20 V

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяSTGB14NC60KDT4
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current14 A
Power dissipation80 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current50 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge34.4nC
Kind of packagereel, tape
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; D2PAK

Документация

Документ производителя