STMICROELECTRONICS
Транзистор STGB10NC60KDT4
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 600 V
- Collector current
- 10 A
- Power dissipation
- 65 W
- Корпус
- D2PAK
- Gate-emitter voltage
- ±20 V
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 930 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%411,88 ₽
Сумма · с НДС 22%411,88 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 411,88 ₽ | |
| от 10 | 287,75 ₽ | |
| от 25 | 236,97 ₽ | |
| от 40 | 214,40 ₽ | |
| от 50 | 203,12 ₽ | |
| от 100 | 193,71 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STGB10NC60KDT4 |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 600 V |
| Collector current | 10 A |
| Power dissipation | 65 W |
| Корпус | D2PAK |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 30 A |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 19nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.