Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGB10NC60HDT4

STGB10NC60HDT4
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
10 A
Power dissipation
65 W
Корпус
D2PAK
Gate-emitter voltage
±20 V

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 385 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%530,09 ₽

Сумма · с НДС 22%530,09 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1530,09 ₽
от 5428,30 ₽
от 10374,52 ₽
от 100228,55 ₽
от 500224,71 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTGB10NC60HDT4
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current10 A
Power dissipation65 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current20 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge19.2nC
Kind of packagereel, tape
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK

Документация

Документ производителя