STMICROELECTRONICS
Транзистор STGB10NC60HDT4
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 600 V
- Collector current
- 10 A
- Power dissipation
- 65 W
- Корпус
- D2PAK
- Gate-emitter voltage
- ±20 V
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 385 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%530,09 ₽
Сумма · с НДС 22%530,09 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 530,09 ₽ | |
| от 5 | 428,30 ₽ | |
| от 10 | 374,52 ₽ | |
| от 100 | 228,55 ₽ | |
| от 500 | 224,71 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STGB10NC60HDT4 |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 600 V |
| Collector current | 10 A |
| Power dissipation | 65 W |
| Корпус | D2PAK |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 20 A |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 19.2nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.