Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGB10M65DF2

STGB10M65DF2
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
10 A
Power dissipation
115 W
Корпус
D2PAK
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTGB10M65DF2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current10 A
Power dissipation115 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current40 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge28nC
Kind of packagereel, tape
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.