Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGB10H60DF

STGB10H60DF
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
10 A
Рассеиваемая мощность
115 W
Корпус
D2PAK
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTGB10H60DF
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current10 A
Рассеиваемая мощность115 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current40 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge57nC
Kind of packagereel, tape
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 10A; 115W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.