Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STF6N65M2

STF6N65M2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
4 A
Pulsed drain current
16 A
Power dissipation
20 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTF6N65M2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current4 A
Pulsed drain current16 A
Power dissipation20 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance1.35 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge9.8nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.