Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STF35N65DM2

STF35N65DM2
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™ DM2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
20 A
Pulsed drain current
90 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTF35N65DM2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™ DM2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current20 A
Pulsed drain current90 A
Power dissipation40 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.11 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge56.3nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A

Документация

Документ производителя