STMICROELECTRONICS
Транзистор STF26NM60N
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- MDmesh™ II
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 600 V
- Drain current
- 12.6 A
- Power dissipation
- 35 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 115 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%1 145,05 ₽
Сумма · с НДС 22%1 145,05 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 1 145,05 ₽ | |
| от 10 | 826,24 ₽ | |
| от 30 | 718,72 ₽ | |
| от 50 | 673,45 ₽ | |
| от 100 | 628,17 ₽ | |
| от 300 | 558,37 ₽ | |
| от 400 | 545,17 ₽ | |
| от 500 | 533,85 ₽ | |
| от 1000 | 503,67 ₽ | |
| от 1250 | 496,12 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STF26NM60N |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | MDmesh™ II |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 600 V |
| Drain current | 12.6 A |
| Power dissipation | 35 W |
| Корпус | TO220FP |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 135 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ II; unipolar; 600V; 12.6A; 35W
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.